特許
J-GLOBAL ID：200903035514290079
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107163
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077366
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体チップから発生する熱の一部をヒートシンクまで伝導させるのを容易にし、半導体チップを所定の温度まで冷却する。【構成】P型シリコン半導体チップ11a,11b,11c、およびN型半導体チップ10a,10b,10cの対向する2面に各々金属板片8a,8b,8c,8d,9a,9b,9cを具備させ、電気的に直列接続した吸放熱部13を有するヒートシンク12付き半導体装置。吸放熱部13に所定の電流を流すことで発生するペルチェ効果を利用して、半導体チップ3から発生する熱をヒートシンク12へ伝導するのを容易にする。
請求項（抜粋）：
半導体チップを搭載した絶縁基体とヒートシンクとの間に、相対向する2面に電気的に接続された金属板片を各々具備した少なくとも1対のP型半導体チップとN型半導体チップとを電気的に直列に接続した吸放熱部を具備したことを特徴とするヒートシンク付きの半導体装置。
引用特許：
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