特許

J-GLOBAL ID：200903035520212675

シリコン薄板の製造方法

発明者： 中村 修
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347766
公開番号（公開出願番号）：特開平6-191814
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】 生産性が良好でかつ結晶性の改善が図れるシリコン薄板の製造方法を提供すること。【構成】 るつぼ40内のシリコン融液と気相との界面を冷却しこの界面でシリコンを析出させて結晶性シリコンの薄板80を製造する方法であって、上記界面の面方向に沿って温度勾配を有する冷却器60をシリコン融液上の近傍に配置してシリコン融液と気相との界面を冷却することを特徴とする。この方法によれば、シリコン融液における冷却温度の高い部位には微小な結晶粒は発生し難く冷却温度の低い部位にのみ微小な結晶粒がまず発生し、その後、この結晶粒がシリコン融液面の面方向に沿ってその冷却温度の低い部位から高い部位へ順次成長することになるため、平均粒径が大きく結晶性良好な多結晶シリコン等の薄板を簡便かつ確実に製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン融液と気相との界面を冷却し、この界面でシリコンを析出させて結晶性シリコンの薄板を製造するシリコン薄板の製造方法において、上記界面の面方向に沿って温度勾配を有する冷却器を上記シリコン融液上の近傍に配置してシリコン融液と気相との界面を冷却することを特徴とするシリコン薄板の製造方法。