特許
J-GLOBAL ID：200903035521080993
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238262
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090546
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：
【要約】【構成】 窒素を0.2%〜17%含む銅または銅合金により形成された配線を有することを特徴とする半導体装置。【効果】 比抵抗値を増大させずに、耐酸化性に優れた銅配線を有する半導体装置を提供することができる。
請求項（抜粋）：
窒素を0.2%〜17%含む銅または銅合金により形成された配線を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
C23C 14/04
, H01L 21/3205
