特許

J-GLOBAL ID：200903035526806160

半導体装置およびその製造方法

発明者： 西本 賢二 ,  片桐 光昭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000504
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204030
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】 ウエハプロセスで外部接続端子を形成したメモリチップを配線基板に実装する際、または実装した後に、前記メモリチップの機能を変更することができるマルチチップモジュールを提供する。【解決手段】 電源電圧配線6およびグランド電位配線6を含む配線6のパターンが異なる2種類のモジュール基板を用意し、これら2種類のモジュール基板にメモリチップ2およびコントロールチップ3を実装することにより、同一のメモリチップ2を使ってワード構成や動作モードといった機能の異なる2種類のマルチチップモジュールを実現する。

請求項（抜粋）：

配線基板上にメモリチップを含む複数個の半導体チップが実装されたマルチチップモジュール構造の半導体装置であって、前記メモリチップは、複数のメモリ素子を含む集積回路と、前記集積回路に電気的に接続された複数個の電極と、前記集積回路を覆い、かつ前記複数個の電極が露出されるように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上部に形成され、前記複数個の電極のそれぞれに電気的に接続された複数本の配線と、前記絶縁層の上部に形成され、前記複数本の配線のそれぞれに電気的に接続された複数個の外部接続端子とを有し、前記複数個の外部接続端子は、入力信号の電圧レベルに応じて前記集積回路の所定の機能を切り換える機能切り換え用外部接続端子を含み、前記配線基板を通じて前記メモリチップの前記機能切り換え用外部接続端子に所定の電圧レベルの信号を供給することによって、前記集積回路の所定の機能を切り換えるようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/04 ,  G11C 11/401 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 25/04 Z ,  G11C 11/34 371 K

Fターム (12件)：

5M024AA74 ,  5M024BB30 ,  5M024GG20 ,  5M024LL02 ,  5M024LL11 ,  5M024LL16 ,  5M024LL17 ,  5M024LL19 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP04 ,  5M024PP05