特許
J-GLOBAL ID：200903035531307430
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275497
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213697
出願日： 1988年10月24日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 ストライプ構造をもつ半導体レーザにおいて、ストライプを埋める成長膜をより平坦化する。【解決手段】 ストライプ底面の第1の半導体化合物に比べて、ストライプ外の上面の第2の半導体化合物をAlを多く含む半導体化合物とすることで、ストライプを埋めるように第2の成長を行うときに、ストライプ外上面は、表面に形成される酸化膜の影響で、成長開始時の成長速度がストライプ底面に比べ遅くなる。その結果、ストライプを埋める成長膜がより平坦化される。
請求項（抜粋）：
レーザ発振される活性層と積層状態になっており、上面がAlを組成物として含まないかもしくはわずかに含む第1の半導体化合物にて構成された第1の半導体積層構造体と、該第1の半導体積層構造体上に、ストライプ状欠如部分が形成されるように積層されており、前記第1の半導体化合物より多くAlを含む第2の半導体化合物を上面に有する第2の半導体積層構造体と、前記第1及び第2の半導体積層構造体上に積層された第3の半導体積層構造体と、を備えてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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