特許

J-GLOBAL ID：200903035532988792

圧電磁器および圧電素子

発明者： 中井 泰広 ,  中久保 仁
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197120
公開番号（公開出願番号）：特開2003-012371
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：

【要約】【課題】特に、厚み滑りモードを用いた場合において、電気機械結合係数が高く、共振周波数の温度依存性が小さいという特徴を有する圧電磁器および圧電素子を提供する。【解決手段】NaNbO3を主成分とするペロブスカイト型の結晶粒子からなり、Aサイトを占めるNaの一部が、(Bi1/2K1/2)、(Bi1/2Na1/2)、(Bi1/2Li1/2)のうち少なくとも1種とMnで置換され、Bサイトを占めるNbの一部が少なくともSiで置換されている。

請求項（抜粋）：

NaNbO3を主成分とするペロブスカイト型の結晶粒子からなり、Aサイトを占めるNaの一部が、(Bi1/2K1/2)、(Bi1/2Na1/2)、(Bi1/2Li1/2)のうち少なくとも1種とMnで置換され、Bサイトを占めるNbの一部が少なくともSiで置換されていることを特徴とする圧電磁器。

IPC (3件)：

C04B 35/495 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187

FI (3件)：

C04B 35/00 J ,  H01L 41/18 101 J ,  H01L 41/08 C

Fターム (10件)：

4G030AA02 ,  4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA20 ,  4G030AA25 ,  4G030AA37 ,  4G030AA43 ,  4G030AA61 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01