特許

J-GLOBAL ID：200903035533228333

MOS型半導体集積回路とその製造方法

発明者： 荒瀬 謙士朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027310
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224413
出願日： 1993年01月24日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 二種類以上の電源電圧(例えば5Vと3.3V)で動作するMOS型半導体集積回路の高電源電圧動作MOSトランジスタ2のゲート絶縁膜5の信頼度を、低電源電圧動作MOSトランジスタ3の性能低下を伴うことなく高める。【構成】 高電源電圧動作トランジスタ2のゲート絶縁膜5を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作MOSトランジスタ3のゲート絶縁膜6を窒素原子を含有しない酸化物で形成する。

請求項（抜粋）：

異なる電源電圧により駆動されるMOSトランジスタが存在するMOS型半導体集積回路において、高電源電圧で駆動されるMOSトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧で駆動されるMOSトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原子を含有しない酸化物で形成したことを特徴とするMOS型半導体集積回路

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 C ,  H01L 27/08 102 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-122063
  
• 特開平4-297063
  
• 特開平3-030470