特許
J-GLOBAL ID：200903035537689033
イオン選択セラミック膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江崎 光史 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-207200
公開番号（公開出願番号）：特開平8-206476
出願日： 1995年08月14日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：
【要約】【課題】 プロトン導電性の優れたイオン選択セラミック膜を提供する。【解決手段】 このイオン選択セラミック膜は、周期表のIIA族の金属Meを1つ以上ドープしたリン酸ランタニドからなり、一般式Ln1-X MeX PO4 〔式中、Lnはランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム及び/又はガドリニウムを表し、0≦X≦0.5である〕の組成を有する。
請求項（抜粋）：
プロトン導電性の優れたイオン選択セラミック膜であって、この膜が、モナズ石構造を有し、周期表のIIA族の金属Meを1つ以上ドープしたリン酸ランタニドからなり、一般式Ln1-X MeX PO4 〔式中、Lnはランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム及び/又はガドリニウムを表し、0≦X≦0.5である〕の組成を有することを特徴とする上記イオン選択セラミック膜。
IPC (3件)：
B01D 71/02
, G01N 27/12
, H01M 8/02
