特許

J-GLOBAL ID：200903035545359735

多結晶シリコンの製造方法

発明者： 堀尾 正靱 ,  石川 延宏 ,  ▲廣▼田 大助 ,  小松 善徳 ,  石井 正明 ,  高綱 和敏 ,  猿渡 康裕
出願人/特許権者： 東亞合成化学工業株式会社 ,  東燃化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285503
公開番号（公開出願番号）：特開平6-115920
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：

【要約】【目的】流動層内粒子の凝集、微粉の副成、反応器壁へのシリコン析出を抑制し、高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。【構成】モノシランを用いた流動層法による顆粒状の多結晶シリコンの製造方法において、流動化ガスの反応器内空塔速度U0 (m/s) を、流動層内のシリコン粒子の体面積平均粒径Dp (m) 及び最小流動化速度Umf (m/s) に対して、 (400・Dp )1/2 +Umf>U0 >(80・Dp )1/2 +Umfの範囲にする、多結晶シリコンの製造方法。

請求項（抜粋）：

モノシランを用いた流動層法による顆粒状の多結晶シリコンの製造方法において、流動化ガスの反応器内空塔速度U0 (m/s) を、流動層内のシリコン粒子の体面積平均粒径Dp (m) 及び最小流動化速度Umf (m/s) に対して、 (400・Dp )1/2 +Umf>U0 >(80・Dp )1/2 +Umfの範囲にすることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/02 ,  B01J 8/24 321

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-225516