特許
J-GLOBAL ID：200903035553913199
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000632
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183102
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 小型、高密度、高速のマルチチップモジュールを得る。【構成】 可とう性フィルム11とこの主面に形成されたリード14、15からなるフィルムキャリアの独立したインナーリードの両面に複数のLSIチップ19、20をそれぞれ接合し、LSIチップが互いに表面を向いあわせて実装されたマルチチップモジュールを得る。【効果】 小型、高密度、高速のマルチチップモジュールを得ることが出来る。
請求項（抜粋）：
開口部を有する可とう性フィルム上に形成され、前記開口部より異なる長さで突出したリード群の表面に少なくとも1個以上の第1の半導体素子の電極が接合され、前記リード群の前記第1の半導体素子が接合されていないリードの裏面に少なくとも1個以上の第2の半導体素子の電極が接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
