特許
J-GLOBAL ID：200903035554550120
光通信等に用いる波長可変半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-207650
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036495
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】活性領域、位相調整領域及びDBR領域とが共振器方向に一列に配置された波長可変DBRレーザにおいて単一電流でモード飛びのない連続波長制御を可能とする。【解決手段】DBR領域に電流注入、電圧印加あるいは温度変化により屈折率変化の生じる領域R1と、電流注入、電圧印加あるいは温度変化によって屈折率が変化しない領域R2とで一周期を構成する周期構造を導入し、位相調整領域及びDBR領域に均一に電流注入、電圧印加あるいは温度の変化時、DBR領域の等価屈折率変化を位相調整領域の等価屈折率変化の1/2に設定できる。周期構造の一周期を発振波長の1/2整数倍の長さとし少ない周期で高反射率が得られる分布反射器を 形成でき、レーザ共振器のマイクロ化、極低閾値電流での発振が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、電流注入により利得を生じる活性層を含む活性領域と、電流注入、電圧印加、及び温度変化のうちの少なくともいずれか一により屈折率変化を生じるチューニング層を含む位相調整領域と、DBR(Distributed Bragg Reflector;分布ブラッグ反射)領域とが、共振器方向に一列に配置され、前記DBR領域は周期構造を有し、該周期構造が、電流注入、電圧印加、及び温度変化のうちの少なくともいずれか一により屈折率の変化が生じる第1の領域(R1)と、電流注入、電圧印加、及び温度変化のいずれによっても屈折率の変化が生じない第2の領域(R2)と、でその一周期が構成されてなることを特徴とする波長可変半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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