特許

J-GLOBAL ID：200903035561481028

脆性材料基板のスクライブ方法およびスクライブ装置

発明者： 藤井 昌宏 ,  井上 修一
出願人/特許権者： 三星ダイヤモンド工業株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003009899
公開番号（公開出願番号）：WO2004-014625
出願日： 2003年08月04日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

マザーガラス基板50の表面におけるスクライブ予定ラインSLに沿って、マザーガラス基板の軟化点よりも低い温度のレーザスポットLSが形成されるようにレーザビームを連続的に照射しつつ、そのレーザスポットLSに近接した領域をスクライブ予定ラインSLに沿って冷却することにより主冷却スポットMCPを形成して、スクライブ予定ラインSLに沿ってクラックを連続して形成する。この場合、主冷却スポットMCPよりもレーザスポットLS側であって、主冷却スポットMCPに近接したスクライブ予定ラインSLに沿った領域を予め冷却するアシスト冷却スポットACPを形成する。

請求項（抜粋）：

脆性材料基板の表面におけるスクライブ予定ラインに沿って、該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度のレーザスポットが形成されるようにレーザビームを連続的に照射し移動させつつ、そのレーザスポットの後方のスクライブ予定ラインに沿った領域付近を冷却媒体にて冷却することにより冷却スポットを形成して、スクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを連続して形成する脆性材料基板のスクライブ方法において、 前記冷却スポットよりもレーザスポット側であって、スクライブ予定ラインに沿った領域を予め冷媒にて冷却するための少なくとも一つのアシスト冷却スポットを形成しつつスクライブすることを特徴とする脆性材料基板のスクライブ方法。

IPC (3件)：

B28D5/00 ,  B23K26/00 ,  C03B33/09

FI (3件)：

B28D5/00 Z ,  B23K26/00 D ,  C03B33/09