特許

J-GLOBAL ID：200903035563766496

半導体レーザの製造方法

発明者： 関口 利貞
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 石戸谷 重徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211993
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056050
出願日： 1994年08月12日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、逆メサ型のストライプ構造部を有する半導体レーザの製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 かゝる本発明は、ウェハをエッチングしてストライプ構造部110を形成した後、埋め込み層120を形成してなる半導体レーザの製造方法において、前記エッチング時、ストライプ構造部110に(-11-1),(-1-11)の結晶面方位が現れない形でエッチング処理を行い、しかる後、気相成長法にて埋め込み層120を形成する半導体レーザの製造方法にあり、上記ストライプ構造部のエッチング処理の際、結晶面方位(-11-1),(-1-11)が発生しない形で行うため、その後、気相成長法を採用することができ、この気相成長法によって、良好な電流ブロック層などの埋め込み層を形成することができる。

請求項（抜粋）：

ウェハをエッチングしてストライプ構造部を形成した後、埋め込み層を形成してなる半導体レーザの製造方法において、前記エッチング時、ストライプ構造部に(-11-1),(-1-11)の結晶面方位が現れるのを抑えた形でエッチング処理を行い、しかる後、気相成長法にて埋め込み層を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。