特許

J-GLOBAL ID：200903035563898597

半導体装置

発明者： 小穴 保久 ,  小竹 秀典 ,  向井 信夫 ,  井出 恭三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303289
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213324
出願日： 1982年04月26日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】 薄膜半導体装置の能動領域となるガラス基板上のシリコン膜を、ガラス基板に変形を生じることなく堆積できる半導体装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板上に形成されたガラス基板より光吸収係数が大きい物質膜と、この物質膜上に直接または絶縁膜を介して形成されたシリコン膜とを具備し、上からみて、素子が形成された領域が、物質膜が形成された両域の範囲内にある。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にシリコン膜を堆積しこの膜に素子を形成してなる半導体装置において、ガラス基板と、前記ガラス半導体上に形成された前記ガラス基板より光吸収係数が大きい物質膜と、この物質膜上に直接または絶縁膜を介して形成されたシリコン膜とを具備し、前記素子が形成された領域が、前記物質膜が形成された両域の内側にあることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-135968
  
• 特開昭57-095661