不均一な量子ドットを有する半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003007577
公開番号（公開出願番号）：WO2004-055900
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2004年07月01日
要約：

形成する際に格子歪を必要としない不均一な量子ドットを有する半導体積層構造(1)は、活性層(3)の両側に、活性層(3)よりも禁制帯幅の大きいクラッド層(5,6,16)が積層されたダブルヘテロ接合構造であって、活性層(3)が、形成する際に格子歪を必要としない不均一な量子ドット(2)からなる層を少なくとも1層以上含む。不均一な量子ドット層(2)は、その大きさ及び組成の何れか一つまたは両者が異なる化合物半導体からなる不均一な量子ドットから形成されている。発光ダイオード(15,15’)、半導体レーザダイオード(20)及び半導体光増幅器(30)のそれぞれは、不均一な量子ドットを有する半導体積層構造(1、1’)を有して構成されている。波長範囲の広い発光や増幅ができる。

請求項（抜粋）：

形成する際に格子歪を必要としない量子ドットを有する半導体積層構造であって、上記量子ドットが少なくとも1層以上積層され、上記量子ドットのそれぞれが、その大きさ及び組成の何れか1つまたは両者が異なる化合物半導体からなる不均一な量子ドットから形成されていることを特徴とする、不均一な量子ドットを有する半導体積層構造。

IPC (3件)：

H01L 29/06 , H01L 33/00 , H01S 5/34

FI (3件)：

H01L29/06 601D , H01L33/00 F , H01S5/34

Fターム (14件)：

5F041AA12 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA14 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F173AA01 , 5F173AF08 , 5F173AF12 , 5F173AG11 , 5F173AH14 , 5F173AP06 , 5F173AR07 , 5F173SC03

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