特許

J-GLOBAL ID：200903035570841983

薄層をエッチングするための装置および方法

発明者： カール-ハインツ クレッチマー ,  ゲルハルト ローレンツ ,  ライナー ゲーゲンヴァルト
出願人/特許権者： ライボルト アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263708
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183284
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高いエッチング速度を可能にし、先行技術の欠点を示さないITOに適したエッチング装置を提供する。【構成】 真空室2の上方に配置されたプラズマ源12と、それと向い合っている基板支持部材5と、基板支持部材と接続されている高周波源8とを備えた真空室中でガラス基板上の薄層をエッチングするための装置において、エッチングガスとしてCl2またはCl2およびH2またはCH4が真空室中へ導入可能であり、0.1〜10μbarのプロセスガス圧が調節可能であり、その際、基板支持部材の高周波-バイアス-供給装置7はエッチング粒子密度に無関係に調節可能であり、その際、プラズマ源は固有の調節回路網17を有する別個の高周波源16により供給される薄層をエッチングするための装置。

請求項（抜粋）：

真空室の上方に配置されたプラズマ源(12)と、それと向い合っている基板支持部材(5)と、基板支持部材(5)に接続されている高周波源(8)とを備えた真空室(2)中で、ガラス基板上の薄層をエッチングするための装置において、エッチングガスとしてCl2またはCl2およびH2またはCH4が真空室(2)中へ導入可能であり、0.1〜10μbarのプロセスガス圧が調節可能であり、その際、基板支持部材(5)の高周波-バイアス-供給装置(8)はエッチング粒子密度に無関係に調節可能であり、その際、プラズマ源(12)は固有の調節回路網(17)を有する独自の高周波源(16)により供給される薄層をエッチングするための装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/305