特許
J-GLOBAL ID：200903035572302761
半導体素子搭載用基板と半導体装置および転写用原版
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
米田 潤三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-301964
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129777
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 高集積化、高機能化に対応した半導体素子搭載用基板および半導体装置と、この半導体素子搭載用基板と半導体装置の製造に使用でき製造コストの低減を可能とする転写用原版を提供する。【解決手段】 少なくとも表面が導電性の転写基板に所定パターンでメッキ法により導電性層を形成し、この導電性層上に粘着性あるいは接着性の導電性樹脂層または絶縁性樹脂層を形成して転写原版とし、この転写原版を用いて、メッキ法により形成した導電性層が導電性樹脂層上あるいは絶縁性樹脂層上に積層されてなる配線を、基板に形成されたスルーホールを覆うように転写形成して半導体素子搭載用基板とし、上記配線に端子を電気的に接続するように半導体素子を基板上に搭載し、スルーホール内に導電性層あるいは導電性樹脂層に接続され基板裏面に突出した外部端子を設けて半導体装置とする。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の所定箇所に形成された少なくとも1個のスルーホールと、該スルーホールを覆うように前記基板の一方の面の所定箇所に転写形成された配線とを備え、該配線は前記スルーホールを覆うように前記基板に固着された導電性樹脂層と、該導電性樹脂層上に積層されている導電性層からなる積層構造を有し、前記導電性層はメッキ法により形成されたものであることを特徴とする半導体素子搭載用基板。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 23/12 301
, H01L 21/3205
H01L 23/12 L
, H01L 23/12 301 L
, H01L 21/88 M
