特許

J-GLOBAL ID：200903035574957633

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 阿部 宏幸
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210370
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055822
出願日： 1994年08月10日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高アスペクト比のホールの底部及び側壁部に膜質を劣化させることなくTi膜やTiN膜を形成する。【構成】 チャンバー2内にスパッタイオンガン4、ターゲット6、基板ホルダー8及びアシストイオンガン10を備えている。スパッタイオンガン4とターゲット6はスパッタイオンガン4のグリッド面の中心とターゲット6の中心を結んだ直線がスパッタイオンガンのグリッド面の法線と平行になるような位置関係にある。基板ホルダー8とターゲット6は基板ホルダー8の中心とターゲット6の中心を結んだ直線がスパッタイオンガン4のグリッド面中心からターゲット6の中心を結んだ直線のターゲット面での鏡面反射の正反射方向ベクトルに対して±10度以内の角度範囲にある。基板ホルダー8の中心とターゲット6の中心間の距離は200〜500mmである。

請求項（抜粋）：

多層配線を有する半導体装置を製造する方法において、コンタクトホール又はスルーホールを開孔後、配線用メタル層形成前にTi膜又はTiN膜を形成するためにイオンビームスパッタ装置を用い、基板を装着した基板ホルダー面の法線方向が基板ホルダー中心とターゲット中心を結んだ直線と平行になる角度を水平に対してθaとした場合、基板ホルダーの傾き角をθa±10度の範囲に設定して成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768