特許

J-GLOBAL ID：200903035586336952

シリコンウェハの接合方法

発明者： 齊藤 宏 ,  赤井 澄夫 ,  片岡 万士
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335480
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155977
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板同士を接合する際に、接合面におけるボイドの発生を抑え、接合界面での剥離等のおそれがないシリコンウェハの接合方法を提供する。【解決手段】 回路素子3が形成された第1のシリコン基板1と、台座となる第2のシリコン基板11とを重ね合わせて接合する際に、第1のシリコン基板1にAuの拡散を防止する拡散防止層4をNi,Cr,W,Alの少なくともいずれか1つを含む金属薄膜で形成し、その上にAu層5を形成し、第2のシリコン基板にSn層13を形成する。第1のシリコン基板1のAu層5と第2のシリコン基板11のSn層13を重ね、所定の荷重及び温度(300〜400°C)を加えて両シリコン基板1,11を合金接合する。

請求項（抜粋）：

回路素子が形成された第1のシリコン基板と、台座となる第2のシリコン基板とを重ね合わせて接合するシリコンウェハの接合方法であって、前記第1のシリコン基板にAuの拡散を防止する拡散防止層をNi,Cr,W,Alの少なくともいずれか1つを含む金属薄膜で形成し、その上にAu層を形成し、前記第2のシリコン基板にSn層を形成し、前記第1のシリコン基板のAu層と前記第2のシリコン基板のSn層とを重ね、所定荷重及び所定温度を加えて両シリコン基板を合金接合することを特徴とするシリコンウェハの接合方法。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  B81C 3/00 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/52 ,  H01L 41/08

FI (6件)：

H01L 21/02 B ,  B81C 3/00 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/52 D ,  H01L 41/08 Z

Fターム (17件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF01 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG13 ,  5F047AA00 ,  5F047BA41 ,  5F047BB16 ,  5F047BB18 ,  5F047BC01 ,  5F047BC02 ,  5F047CA00 ,  5F047CB03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭52-143763
  
• 特開昭60-088479
  
• 特開昭56-043736
  
• 特開昭60-198892