特許
J-GLOBAL ID:200903035589049199

液処理装置及び液処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 井上 俊夫 ,  水野 洋美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-005839
公開番号(公開出願番号):特開2004-221244
出願日: 2003年01月14日
公開日(公表日): 2004年08月05日
要約:
【課題】レジストパターンを形成するために現像液を供給した半導体ウエハに対して、均一性の高い洗浄を行って良好なレジストパターンを得ることができると共に洗浄液を行うこと。【解決手段】洗浄液ノズルにおいて、ウエハの直径とほぼ同じ長さに亘って洗浄液吐出口を形成すると共に、洗浄液吐出口の前方側に同様な長さのガス吐出口を設け、更にガス吐出口の前方側に同様な長さの現像液の吸引口を設ける。この洗浄液ノズルをウエハの面に沿って一端側から他端側に移動させ、現像液の液面にガスを吹き付けながら現像液を吸引し、薄膜化された現像液の薄膜を洗浄液で洗浄する。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
基板の表面に薬液を供給して処理を行い、次いで当該表面に洗浄液を供給して洗浄する液処理装置において、 基板を水平に保持する基板保持部と、 この基板表面に保持された基板の表面に薬液を供給する薬液供給ノズルと、 前記基板の有効領域の幅に対応する長さに亘って洗浄液吐出口が形成され、薬液が塗布された基板の表面に対して洗浄液を供給するための洗浄液ノズルと、 この洗浄液ノズルを、基板の一端側から他端側に亘って相対的に移動させる移動機構と、を備え、 前記洗浄液ノズルは、前記洗浄液吐出口の前方側に基板の有効領域の幅に対応する長さに亘って形成され、基板の表面にガスを吹き付けるガス吐出口と、このガス吐出口の前方側に基板の有効領域の幅に対応する長さに亘って形成され、基板上の薬液を吸引する薬液吸引口と、を備えたことを特徴とする液処理装置。
IPC (6件):
H01L21/027 ,  B05C5/00 ,  B05C11/10 ,  B08B3/02 ,  B08B5/04 ,  H01L21/304
FI (6件):
H01L21/30 569C ,  B05C5/00 101 ,  B05C11/10 ,  B08B3/02 D ,  B08B5/04 A ,  H01L21/304 643C
Fターム (37件):
3B116AA01 ,  3B116AB42 ,  3B116BB42 ,  3B116BB72 ,  3B116CC03 ,  3B201AA01 ,  3B201AB42 ,  3B201BB42 ,  3B201BB72 ,  3B201BB98 ,  3B201CC12 ,  3B201CC13 ,  4F041AA06 ,  4F041AB02 ,  4F041BA13 ,  4F041BA54 ,  4F041BA59 ,  4F041CA02 ,  4F041CA28 ,  4F042AA07 ,  4F042CC03 ,  4F042CC04 ,  4F042CC07 ,  4F042CC08 ,  4F042CC09 ,  4F042CC15 ,  4F042DA01 ,  4F042DD34 ,  4F042DD38 ,  5F046LA03 ,  5F046LA04 ,  5F046LA05 ,  5F046LA07 ,  5F046LA08 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14 ,  5F046LA18

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