特許

J-GLOBAL ID：200903035591675528

エピタキシャル膜の形成方法

発明者： 市川 武史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-326902
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177039
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 RF-DC結合バイアススパッタリング法を改良し、ステップカバレッジが良好で、積層欠陥が少なく界面が良好で、プロセスガス中の薄膜の品質を阻害するアルゴン原子、炭素原子等の含有量の少ない、高品質な結晶性薄膜を提供することを目的とする。【構成】 ターゲットにDC電圧とプラズマ生起のための高周波電力とを印加し、基板上にエピタキシャル膜をスパッタリング法により形成する成膜方法であって、1又は2以上の不活性ガスと、水素ガスとを混合した混合ガス雰囲気内で、且つ雰囲気中のH2Oガス、COガス及びCO2ガスの各々の分圧がいずれも1.0×10-8Torr以下である成膜空間内で、スパッタリング法により400〜700°Cの基板上に結晶をエピタキシャル成長させて薄膜を得る。

請求項（抜粋）：

ターゲットにDC電圧とプラズマ生起のための高周波電力とを印加し、基板上にエピタキシャル膜をスパッタリング法により形成する成膜方法であって、1又は2以上の不活性ガスと、水素ガスとを混合した混合ガス雰囲気内で、且つ雰囲気中のH2Oガス、COガス及びCO2ガスの各々の分圧がいずれも1.0×10-8Torr以下である成膜空間内で、スパッタリング法により400〜700°Cの基板上に結晶をエピタキシャル成長させて薄膜を得ることを特徴とするエピタキシャル膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73