磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-269637
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091551
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】本発明の目的は、高出力でかつ外部磁界に対する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】GMR膜30は、下地層31、反強磁性層32、固定磁化積層体33、非磁性金属層37、拡散防止層38、自由磁化層39、保護層40が順次積層された構成からなる。自由磁化層39はMn系ホイスラー合金からなり、拡散防止層38はCoFeAlからなる。CoFeAlの組成は、三元系の組成図において、各組成の座標を(Co含有量,Fe含有量,Al含有量)として表すと、点A(55,10,35)、点B(50,15,35)、点C(50,20,30)、点D(55,25,20)、点E(60,25,15)、点F(70,15,15)として、点A、点B、点C、点D、点E、点F、および点Aをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域内に設定されてもよい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

CPP型の磁気抵抗効果素子であって、固定磁化層と、非磁性金属層と、拡散防止層と、自由磁化層とがこの順に積層され、前記自由磁化層はMn系ホイスラー合金からなり、前記拡散防止層はCoFeAlからなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 10/26

FI (7件)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , H01L27/10 447 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F10/26

Fターム (55件)：

4M119AA15 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC02 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE03 , 4M119JJ09 , 5D034BA05 , 5D034CA08 , 5E049AA04 , 5E049BA12 , 5E049BA25 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049GC01 , 5F092AA01 , 5F092AA02 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB30 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB44 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BB90 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC19 , 5F092BC46 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE27 , 5F092CA23 , 5F092CA26

引用特許：

出願人引用 (1件)

磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-015001 出願人：アルプス電気株式会社

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