特許
J-GLOBAL ID：200903035592163350
フラツシユメモリを記憶媒体としたシリコンデイスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315973
公開番号（公開出願番号）：特開平5-150913
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【構成】ブロック単位で書換えを行なうフラッシュメモリを記憶媒体としたシリコンディスクにおいて、少なくともファイルデータを記憶するデータメモリの他に前記データメモリのエラーとなったブロックを代替する代替メモリと、データメモリのエラー情報を記憶するエラーメモリとデータメモリと代替メモリとエラーメモリの読みだし及び書き込み、消去を行なうメモリコントローラを備えたシリコンディスク。【効果】フラッシュメモリの書き込みエラーを救済できるのでシリコンディスクの寿命を延ばすことができる。
請求項（抜粋）：
ブロック単位で書換えを行なうフラッシュメモリを記憶媒体としたシリコンディスクにおいて、データを記憶するメモリ素子と、前記メモリ素子に対するアクセスデータを一時的に蓄えるバッファメモリと、メモリの読みだし及び書き込み、消去を行なうメモリコントローラと、前記メモリコントローラを制御するマイコンとを備え、前記マイコンが前記バッファメモリから前記メモリ素子への書き込み不良を検出する手段を備えたことを特徴とするシリコンディスク。
IPC (3件)：
G06F 3/08
, G06F 12/16 310
, G11C 16/06
