特許

J-GLOBAL ID：200903035593023196

リソグラフィー条件のマージン検出方法および半導体装置の製造方法

発明者： 瀬島 幸一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-312836
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124447
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 パターンに欠陥が生じることのないリソグラフィー条件のマージン検出方法を提供することを目的とする。【解決手段】 検査を行う露光マスクを用いてリファレンスチップに対して標準の露光条件でパターン露光を行い、複数の検査チップに対して露光条件を変化させたパターン露光を行った後、現像処理を行うことで各チップに同一レイアウトのパターンを形成してなる第1検査ウエハを作製する(S1〜S2)。リファレンスチップと検査チップのパターンを比較し、レイアウト内においてパターン欠陥が生じやすい欠陥発生箇所を特定する(S3〜S5)。第1検査ウエハの作製と同一の露光マスクを用い、リソグラフィー条件を変化させてパターンを形成してなる第2検査ウエハを作製する(S6)。第2検査ウエハにおける前記欠陥発生箇所を観察することで、リソグラフィー条件のマージンを検出する(S7)。

請求項（抜粋）：

リファレンスチップに対して標準の露光条件でパターン露光を行い、複数の検査チップに対してそれぞれ露光条件を変化させたパターン露光を行った後、現像処理を行うことで当該リファレンスチップおよび検査チップに同一レイアウトでパターンを形成してなる第1検査ウエハを作製する工程と、前記リファレンスチップ内のパターンと前記検査チップ内のパターンとを比較するパターン欠陥検査を行い、前記レイアウト内においてパターン欠陥が生じやすい欠陥発生箇所を抽出する工程と、前記レイアウトと同一レイアウトのパターンを複数のチップに対してリソグラフィー条件を変化させて形成してなるリソグラフィー条件検出用の第2検査ウエハを作製する工程と、前記第2検査ウエハの各チップにおける前記欠陥発生箇所を観察することで、リソグラフィー条件のマージンを検出する工程とを行うことを特徴とするリソグラフィー条件のマージン検出方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/207

FI (3件)：

G03F 7/207 H ,  H01L 21/30 516 D ,  H01L 21/30 514 E

Fターム (6件)：

5F046AA18 ,  5F046BA04 ,  5F046DA02 ,  5F046DA14 ,  5F046DD03 ,  5F046LA18