特許

J-GLOBAL ID：200903035599461470

金属酸化物薄膜のパターン形成方法および金属酸化物薄膜パターン形成用組成物

発明者： 平岡 俊郎 ,  松本 一紀 ,  早瀬 修二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175960
公開番号（公開出願番号）：特開2000-009955
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 伝搬損失が小さく、耐熱性に優れた無機系の光導波路やフォトニックバンド、干渉鏡などの屈折率分布を形成でき、かつ半導体微細加工における表面イメージング工程や、微細金属配線パターンの形成に有用な、金属酸化物薄膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 基材上に、昇華性有機金属錯体とケイ素系高分子化合物とを含む感光層を形成する工程、前記感光層の所定の領域を選択的に露光して、薄膜パターンの潜像を形成する工程、および前記薄膜パターンの潜像が形成された感光層を加熱乾燥して、未露光部の昇華性有機金属錯体を除去する工程を具備する金属酸化物薄膜パターンの形成方法である。

請求項（抜粋）：

基材上に、昇華性有機金属錯体とケイ素系高分子化合物とを含む感光層を形成する工程、前記感光層の所定の領域を選択的に露光して、薄膜パターンの潜像を形成する工程、および前記薄膜パターンの潜像が形成された感光層を加熱乾燥して、未露光部の昇華性有機金属錯体を除去する工程を具備する金属酸化物薄膜のパターン形成方法。

IPC (4件)：

G02B 6/13 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G02B 6/12 M ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (29件)：

2H025AA10 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025CB32 ,  2H025CB33 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA14 ,  2H025FA28 ,  2H047AA03 ,  2H047EE02 ,  2H047EE04 ,  2H047EE05 ,  2H047EE21 ,  2H047EE22 ,  2H047EE24 ,  2H047GG05 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096BA01 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  2H096HA27 ,  2H096HA30