半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054836
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】構造単純・小型・軽量で、高出力の短波長レーザ光を得る。【解決手段】レーザダイオードチップ10の一端面11を全反射面とするとともに他端面12を無反射面として、この一端面11と波長選択性ミラー15とによって光学的共振器を形成し、その共振器の内部に非線形光学結晶14を配置して波長変換し、波長変換された光のみを波長選択性ミラー15を透過させて外部に出力させる。

請求項（抜粋）：

一端面が全反射面、他端面が無反射面とされた半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の外部に配置され上記の一端面との間で光学的共振器を形成する、実質的に特定波長の光のみを反射するミラーと、該共振器内に配置された波長変換素子と、該波長変換された光を外部に取り出す手段とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-204526
特開平4-107536
特開平4-005880

全件表示

前のページに戻る