特許

J-GLOBAL ID：200903035603506077

薄膜光電変換素子

発明者： 森 健 ,  高見沢 稔 ,  阪口 新
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037473
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195502
出願日： 1995年01月18日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 CuInGaSe2化合物半導体を光電変換層とした薄膜光電変換素子における光電変換効率のバラツキを同光電変換層に別種の元素を含ませることにより減少させる。【構成】 CuInGaSe2化合物半導体を主成分とした光電変換層の形成時にGdをスパッタリング法により所定量だけ含ませて薄膜光電変換素子を作製する。

請求項（抜粋）：

Ib族、IIIb族、VIb族の各々より選ばれる元素を含んで成る光電変換層を有する薄膜光電変換素子で、前記変換層が希土類元素を重量で5ppm〜5%の割合で含有することを特徴とする薄膜光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A