特許

J-GLOBAL ID：200903035603662486

半導体装置及びその製造方法

発明者： 米田 義之 ,  織茂 政一 ,  辻 和人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205634
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070089
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子を搭載するダイパッドをパッケージ表面より露出させる構造をとる半導体装置に関し、薄型で、かつ、反りの発生しにくい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体素子1を搭載するダイパッド2,半導体素子1を電気的に外部と接続するリード4等を構成するリードフレームを線膨脹率9.0 ×10-6〜11.0×10-6の52アロイより構成し、樹脂パッケージ6をシリコーンフィラー量78〜81wt%,線膨脹率11.0×10-6〜13.0×10-6のエポキシ樹脂により構成し、ダイパッド2を樹脂パッケージ6より外部に露出させ、薄型化を計る。

請求項（抜粋）：

ダイパッド上に搭載された半導体素子を外部に延出するリードと接続し、樹脂パッケージ内に封入した構成の半導体装置において、前記ダイパッドの前記半導体素子の搭載面とは反対側の面を前記樹脂パッケージより外部に露出させ、前記ダイパッド及び前記リードよりなるリードフレームを線膨脹率が9.0 ×10-6〜11.0×10-6で、かつ、板厚が0.075 〜0.127 〔mm〕の鉄-ニッケル合金より構成し、前記樹脂パッケージをシリコーンフィラーが含有され、線膨脹率が11.0×10-6〜13.0×10-6で、かつ、シリコーンフィラー量が78〜81重量%のエポキシ系樹脂より構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31