特許
J-GLOBAL ID：200903035605216491
半導体装置と、半導体装置およびその半導体基板の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-125378
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321509
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 効果的に結晶欠陥、金属不純物のゲッタリング効果を奏することのできるようにした半導体装置と、半導体装置およびその半導体基板の製法を提供する。【構成】 半導体素子が形成される単結晶シリコン基板11にこれと同じIV族元素でドーパントにならない炭素ドープの多結晶シリコン層2を積層させる。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成される単結晶シリコン基板に炭素ドープの多結晶シリコン層が積層されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 21/205
, H01L 27/148
, H01L 29/165
H01L 21/322 P
, H01L 21/205
, H01L 27/14 B
, H01L 29/165
