特許

J-GLOBAL ID：200903035606143676

成膜装置および成膜方法

発明者： ブザン バンソン ,  久保 謙一 ,  小宮 隆行 ,  近藤 英一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  近藤 英一
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430575
公開番号（公開出願番号）：特開2005-187879
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 微細パターンにCuを効率よく形成する。【解決手段】 超臨界状態の媒体とプリカーサを含む処理媒体を被処理基板に供給して成膜を行う成膜装置であって、処理容器と、前記処理容器内に設けられた前記被処理基板を保持する、加熱手段を有する保持台と、前記処理容器に媒体供給路を介して接続され、前記処理容器に前記処理媒体を供給する媒体供給部と、前記処理容器に供給された前記処理媒体を、前記媒体供給部に還流する媒体還流路を備え、前記媒体供給部は前記処理媒体の温度制御を行う温度制御手段を有することを特徴とする成膜装置を用いた。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

超臨界状態の媒体とプリカーサを含む処理媒体を被処理基板に供給して成膜を行う成膜装置であって、 処理容器と、 前記処理容器内に設けられた前記被処理基板を保持する、加熱手段を有する保持台と、 前記処理容器に媒体供給路を介して接続され、前記処理容器に前記処理媒体を供給する媒体供給部と、 前記処理容器に供給された前記処理媒体を、前記媒体供給部に還流する媒体還流路を備え、 前記媒体供給部は前記処理媒体の温度制御を行う温度制御手段を有することを特徴とする成膜装置。

IPC (1件)：

C23C16/455

FI (1件)：

C23C16/455

Fターム (12件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA14 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA25 ,  4K030KA41

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 表面処理方法および装置ならびにこれにより得られた素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-296776   出願人：株式会社日立製作所
• 基板から汚染物を取り除く方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-010641   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 超臨界流体中でのCu薄膜堆積