特許
J-GLOBAL ID：200903035606152055
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-360575
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204292
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の電気的特性を劣化させることなく、しかも十分な信頼性を確保することができる半導体装置を提供する。【構成】 半導体素子10の周辺部に塗布した高粘度の樹脂12によって、実装基板1と半導体素子10との間隙を閉塞し、続いて塗布される低粘度の樹脂13が実装基板1と半導体素子10との間隙に流れ込むのを防止する。高粘度の樹脂12は流動性が低いので、実装基板1と半導体素子10との間に流れ込むことはない。
請求項（抜粋）：
半導体素子がその表面を下側にして基板上に実装され、前記表面に形成された金属バンプと前記基板上に形成されたリードパッドとが電気的に接続される半導体装置において、前記半導体素子は、少なくともその周辺部が高粘度の樹脂で覆われ、さらに、その上から低粘度の樹脂で封止されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
