特許
J-GLOBAL ID:200903035607631313
光-電子集積回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
早瀬 憲一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-296352
公開番号(公開出願番号):特開平5-110048
出願日: 1991年10月14日
公開日(公表日): 1993年04月30日
要約:
【要約】【目的】 受光素子が形成された基板面と異なる基板面に電子回路素子を形成しても、素子のレイアウトに制限が生じることがなく、電子回路素子への光の入射を効果的に低減することができる光-電子集積回路を得る。【構成】 単一のGaAs基板1の一主面上に受光素子2を形成するとともに、他主面上に電子回路素子3を形成し、これら素子間を基板1にバイアホール13を設け、配線7a及び7cで電気的に接続する。
請求項(抜粋):
同一基板内に受光素子と電子回路素子とを有し、光信号を電気信号に変換して処理を行う光-電子集積回路において、上記基板の一主面上に、P型及びN型電極層を交互に並列に配置して形成した受光素子と、上記基板の他主面上に形成された電子回路素子と、上記基板に設けられ、上記受光素子と上記電子回路素子とを電気的に接続するバイアホールとを備えたことを特徴とする光-電子集積回路。
IPC (3件):
H01L 27/14
, G02B 6/12
, H01L 31/10
FI (2件):
H01L 27/14 D
, H01L 31/10 A
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