特許

J-GLOBAL ID：200903035608942665

静電容量型センサ

発明者： 藤井 充
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 青木 輝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117671
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307127
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 測定媒体によるキャビティ内および電極の腐食や劣化を防ぎ、且つ検出精度が向上できる静電容量型センサを提供する。【解決手段】 一方の導圧部5から圧力を受ける一方のダイヤフラム3と、他方の導圧部17から圧力を受ける他方のダイヤフラム16と、一方及び他方のダイヤフラム3、16との間に空間を隔てて配置される固定基板8とを有し、一方のダイヤフラム3と固定基板8とで形成される一方のキャビティ10と他方のダイヤフラム16と固定基板8とで形成される他方のキャビティ11とを有し、これらの一方及び他方のキャビティ10、11をそれぞれに環形状に形成して、一方及び他方のキャビティ10、11の内部に一方及び他方のダイヤフラム3、16の一部を支える支柱部10A、11Aを配した。

請求項（抜粋）：

一方の導圧部から圧力を受ける一方のダイヤフラムと、他方の導圧部から圧力を受ける他方のダイヤフラムと、前記一方のダイヤフラムと前記他方のダイヤフラムとの間に、これらの一方及び他方のダイヤフラムに対して空間を隔てて配置される固定層とを有し、前記一方のダイヤフラムと前記固定層との間の静電容量変化、及び前記他方のダイヤフラムと前記固定層との間の静電容量変化を検出する静電容量型センサであって、前記一方のダイヤフラムと前記固定層とで形成される一方のキャビティと前記他方のダイヤフラムと前記固定層とで形成される他方のキャビティとを有し、これらの一方及び他方のキャビティをそれぞれに環形状に形成して、前記一方及び他方のキャビティの内部に前記一方及び他方のダイヤフラムの一部を支える支柱部を配したことを特徴とする静電容量型センサ。

IPC (4件)：

H01L 29/84 ,  G01H 11/06 ,  G01L 9/12 ,  G01P 15/125

FI (4件)：

H01L 29/84 Z ,  G01H 11/06 ,  G01L 9/12 ,  G01P 15/125

Fターム (25件)：

2F055AA40 ,  2F055BB03 ,  2F055BB05 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF12 ,  2F055FF38 ,  2F055GG11 ,  2G064AB01 ,  2G064AB23 ,  2G064BD05 ,  2G064BD27 ,  2G064CC28 ,  2G064DD32 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA02 ,  4M112CA16 ,  4M112DA03 ,  4M112DA08 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA11