特許
J-GLOBAL ID：200903035611203687
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-289906
公開番号（公開出願番号）：特開平5-216775
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】半導体記憶承知内の不揮発メモリに対する揮発性メモリの使用効率を向上させることにより、データの高速アクセスを可能とし、メモリ素子の寿命の向上を実現した半導体記憶装置を提供することにある。【構成】フラッシュEEPROMのメインフラッシュメモリ2とデータ制御回路4と交替フラッシュメモリ5とバッテリ6と電源部7からなる半導体記憶装置で、電源が投入されると電源部7は、半導体記憶装置の各部に電源供給を行なうと同時にバッテリ6の充電を行なう。【効果】不揮発性メモリであるメインフラッシュメモリ2の記憶容量と比べ、揮発性メモリであるライトキャッシュメモリ3の記憶容量を小さくできるので、メモリ全体の使用効率が向上する。
請求項（抜粋）：
交替メモリを有する不揮発性半導体メモリと、揮発性メモリと、前記不揮発性半導体メモリ及び前記揮発性メモリに接続され、入力されるアクセス命令に応答して前記不揮発性半導体メモリからデータを読んで出力し、前記揮発性半導体メモリにデータを書くように制御するデータ制御回路と、前記不揮発性半導体メモリ及び前記揮発性メモリに電源を供給するための電源回路と、前記電源回路は前記電源回路が電源を供給できない期間中前記不揮発性半導体メモリ及び前記揮発性メモリにバッテリ電源を供給するためのバッテリを有し、前記データ制御回路は、前記アクセス命令に応答する読み書き動作が行われない期間中前記揮発性半導体メモリに書かれたデータを前記不揮発性半導体メモリに書き込むために、前記揮発性半導体メモリ上のデータを書き込むエリアに相当する前記不揮発性半導体メモリ上の書替えエリアのアドレスを認識し、前記不揮発性半導体メモリの当該エリアのデータの消去とベリファイを行ない、前記不揮発性半導体メモリの書替えエリアへ前記データを書き込む、第1の書き込み手段を有し、前記不揮発性半導体メモリ内の寿命又は故障を検出し、前記揮発性半導体メモリに書かれたデータを前記交替メモリに書き替える第2書き込み手段を有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G06F 12/16 310
, G06F 12/16 340
, G06F 12/08 310
, G11C 16/06
