特許

J-GLOBAL ID：200903035614602779

半導体装置の製造方法

発明者： 石原 誠一
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-033672
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219954
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 リフトオフを行う際、バリの発生しない製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上にホトレジストによりパターンを形成した後、このパターン開口部の側壁の傾斜角度が半導体基板面に対して小さくなるような熱処理を行い、金属を蒸着し、この金属パターンを形成する際、熱処理後のホトレジストの側壁の傾斜角度が、パターン開口部全周にわたってほぼ均一となるように、ホトレジストパターンを形成する。具体的には、ホトレジストパターンを、開口部角の平面形状が、半円、半楕円、1/4円、1/4楕円のような円弧状に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にホトレジストによりパターンを形成した後、該パターン開口部の側壁の傾斜角度が該半導体基板面に対して小さくなるような熱処理を行い、金属を蒸着し、該金属パターンを形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記熱処理後の前記側壁の傾斜角度が、前記パターン開口部全周にわたって略均一となるように、ホトレジストパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。