特許
J-GLOBAL ID：200903035615511890
半導体処理チャンバの乾式清浄化
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185785
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153751
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、プラズマプロセスチャンバ、特に金属エッチングチャンバの乾式清浄化の方法であって、プロセスチャンバ表面上の汚染堆積物をプロセスチャンバから容易に除去できる揮発性の物質に転換する乾式清浄化の方法を提供する事を目的とする。【構成】 非ガス状の乾式清浄化増進材料は、乾式清浄化反応性化学種の生成が可能であり、且つ/又はプロセスチャンバへのプラズマガス供給により生成する乾式清浄化反応性化学種の消費を減ずる。プラズマプロセスチャンバ内に非ガス状の反応性化学種発生材料源を配置することにより、プラズマ乾式清浄化中にプロセスチャンバ非揮発性汚染堆積物がチャンバ壁面より除去される場合、該非ガス状の反応性化学種発生材料源はワークピース支持プラットフォームの付近の位置にある必要はない;しかし、この位置にあれば、典型的なプロセスチャンバでは優れた清浄化の結果をもたらす。
請求項（抜粋）：
堆積した非揮発性の汚染物をその上に有する半導体プロセスチャンバの内部の表面をプラズマ清浄化する方法であって、(a)少なくとも1つの完結したプラズマ清浄化操作に対して反応性化学種を生成するに適した非ガス状の反応性化学種生成材料供給源を該プロセスチャンバ内に配置するステップと、(b)前記非ガス状反応性化学種生成材料供給源を前記プロセスチャンバ内に供給されるガスから生成されるプラズマに暴露し、揮発性の反応性化学種を生成するステップと、(c)前記半導体プロセスチャンバをステップ(b)において前記非ガス状供給源から生成された前記揮発性反応性化学種を含むプラズマと接触させ、前記表面上に存在する前記非揮発性汚染物の少なくとも1部が揮発性の分子に転換されるステップとを含む清浄化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, C23C 14/00
