特許

J-GLOBAL ID：200903035615520415

半導体レーザアレイ装置

発明者： 粂 雅博 ,  内藤 浩樹 ,  太田 一成
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024902
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226765
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 電流ブロック層にクラッド層よりも屈折率が小さいかまたは禁制帯幅が大きい半導体層を用い、かつ活性層に量子井戸構造を用いて半導体レーザレーザアレイを構成することにより、低動作電流で位相同期発振させ、大出力化を実現する。【構成】 n型GaAs基板1の上に、n型AlGaAs層からなるクラッド層3と、量子井戸活性層4と、p型AlGaAs層からなるクラッド層5が形成されており、その上にクラッド層5よりAlAs混晶比が大きくストライプ状の溝を有するブロック層7が形成されており、かつその溝の中にはブロック層7よりAlAs混晶比の小さなAlGaAs層からなるクラッド層6が形成された構成を有する。この構成により、隣合うストライプ間のレーザ光の位相を同期させ、ストライプ間でのレーザ光の損失をなくして高効率発振を可能にする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に、前記半導体基板と同じ導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層より禁制帯幅が小さく厚さが20nm以下で組成比の異なる2つの半導体層を交互に複数層積層した第2の半導体層と、第1の半導体層とは反対の導電型で第2の半導体層より禁制帯幅が大きい第3の半導体層と、第3の半導体層と同じ導電型の第4の半導体層と、第4の半導体層の中に2本以上ストライプ状に形成された導電型が前記半導体基板と同じかまたは高抵抗であってかつメサ形状の第5の半導体層とを有し、第5の半導体層の屈折率が第3の半導体層の屈折率より小さいかまたは第5の半導体層の禁制帯幅が第3の半導体層の禁制体幅より大きいかのどちらかであることを特徴とする半導体レーザアレイ装置。