特許

J-GLOBAL ID：200903035620232576

半導体素子の作製方法

発明者： 岩井 則広 ,  向原 智一 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314206
公開番号（公開出願番号）：特開2000-151016
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 高温での酸化処理時に発生するInP層からのPの脱離を防ぎ、リッジ側面や底部の荒れを防いで、信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供する。【解決手段】 本半導体素子の作製方法は、Alを含む半導体層15とInP層16とを有するストライプ状のリッジ又はメサポスト構造を備え、かつAlを含む半導体層のAlを選択的に酸化させてなるAl酸化層により閉じ込め構造を構成する半導体素子の作製方法である。本方法では、Alを含む半導体層のAlを選択的に酸化させてAl酸化層を形成する際、Alを含む半導体層を除くリッジの側面及び底面又はメサポストの外周面及び底面に、Alを酸化する酸化雰囲気に抗する保護層19を設ける工程を備えている。

請求項（抜粋）：

Alを含む半導体層とInP層とを有するストライプ状のリッジ構造又はメサポスト構造を備え、かつAlを含む半導体層のAlを選択的に酸化させてなるAl酸化層により閉じ込め構造を構成する半導体素子の作製方法であって、Alを含む半導体層のAlを選択的に酸化させてAl酸化層を形成する際、Alを含む半導体層を除くリッジの側面及び底面又はメサポストの外周面及び底面に、Alを酸化する酸化雰囲気に抗する保護層を設ける工程を備えていることを特徴とする半導体素子の作製方法。

Fターム (4件)：

5F073AA13 ,  5F073CA07 ,  5F073DA27 ,  5F073DA35