特許

J-GLOBAL ID：200903035623832469

炭素被膜のエツチング方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-169305
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006877
出願日： 1981年11月28日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】炭素膜をエッチングすること。【構成】本発明は、炭素膜をフッ化物気体でプラズマエッチングすること

請求項（抜粋）：

炭素膜をフッ化物気体でプラズマエッチングすることを特徴とする炭素被膜のエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205 ,  C23C 14/56

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭53-110374
  
• 特開昭56-130927
  
• 特開昭56-122129
  
• 特開昭58-092218