特許
J-GLOBAL ID：200903035624374162
イオンプレーティング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320249
公開番号（公開出願番号）：特開平6-158293
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】 安定な成膜を可能とし、また、プラズマの制御が容易で、被蒸発材料の材質に制限がないイオンプレーティング装置を実現する。【構成】 プラズマ電子銃13を動作させ、電子ビームをチャンバー1内に導入し、チャンバー1内のプロセスガスを励起/イオン化しプラズマを発生させる。その後、ルツボ2に所定の電圧を印加する。ルツボ2への電圧の印加に加え、蒸発用電子銃4からのビーム電流(出力)を増加させ、ある電流以上にすると、蒸発速度がある値を越え、ルツボ2上に高密度のプラズマが発生する。蒸発した材料は、ルツボ2上の高密度プラズマ中で効率良くイオン化され、このプラズマ中のイオン化された材料は、基板5に引き寄せられて該基板5に付着しイオンプレーティングが行われる。
請求項（抜粋）：
真空チャンバーと、真空チャンバー内にプロセスガスを供給する手段と、被蒸発物質を入れたルツボと、被蒸発物質を加熱して蒸発させる加熱源と、チャンバー内に電子ビームを照射しプラズマを発生させるための自己加速型ビーム源と、ルツボに電圧を印加しルツボとチャンバー壁との間に放電を発生させるための電源とを備えており、チャンバー内のプラズマにより蒸発物質をイオン化し、チャンバー内に配置された基板にイオンプレーティングを行うようにしたイオンプレーティング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/32
, C23C 16/50
, H01J 37/32
