特許

J-GLOBAL ID：200903035628804757

ITOスパツタリングタ-ゲツト

発明者： 中島 光一 ,  桑野 勝男 ,  佐藤 則秋
出願人/特許権者： 株式会社日鉱共石
代理人 (1件)： 今井 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-336298
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148635
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリング時に異常放電やノジュ-ルの発生が殆どなく、またガスの吸着も極力少なくて、良好な成膜作業下で品質の高いITO膜を安定して得ることのできるITO焼結タ-ゲットを提供する。【構成】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とした粉末冶金原料を酸素雰囲気中で焼結する工程を取り入れること等により、表面粗さRaが 0.5μm以下に調整されて成るか、或いは更に密度D(g/cm3)とバルク抵抗値ρ(mΩcm)がa) 6.20 ≦ D ≦ 7.23 ,b) -0.0676D+0.887 ≧ ρ ≧ -0.0761D+0.666 ,なる2つの式を同時に満たして成るITO焼結タ-ゲット”を実現する。

請求項（抜粋）：

酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法により製造されたITOスパッタリングタ-ゲットであって、表面粗さRaが0.5μm以下であることを特徴とするITOスパッタリングタ-ゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-207858
  
• 特開平3-130360
  
• 特開平2-297812
  
• 特開平2-297813