特許
J-GLOBAL ID：200903035635612537
混成集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200422
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064719
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】はんだ接続部の信頼性を向上させると共に、入出力配線の形成される制御回路部をセラミックス多層基板を用いて絶縁耐圧の向上と小型化を実現させること。【構成】金属ベース上にパワー半導体素子(4)を搭載すべき窒化アルミニウム(7.1)が固着され、周辺に制御回路とすべきセラミックス多層基板(7.3)を配置し、制御回路部にはパワー半導体素子(4)の入出力配線(8.1)が形成され、この入出力配線(8.1)とパワー半導体素子(4)とはパワー半導体素子(4)と窒化アルミニウム(7.1)との間に挿入された金属箔で接続されている。【効果】放熱効率(熱抵抗)や絶縁耐圧が向上し、高信頼の混成集積回路を得る。
請求項（抜粋）：
複数個のパワー半導体素子やそれを制御するドライバIC,抵抗,コンデンサ或いはホトカプラ等の電子部品群が組み込まれた金属ベースとセラミックス絶縁基板からなる下部領域に前記下部領域と外部導出端子とを連結する配線が組み込まれたケース接続され、このケース内の前記パワー半導体素子やそれらを制御する前記電子部品群がゲル状物質及び封止用樹脂又は蓋で気密封止された構造の混成集積回路に於いて、下部領域の金属ベース上がパワー半導体素子を固着する良熱伝導性のセラミックス群とそれらを制御するドライバIC,抵抗,コンデンサ或いはホトカプラ等の電子部品群を固着する低熱伝導性セラミックスの2種類の絶縁基板からなり、前記2種類の絶縁基板間が前記パワー半導体素子の下部電極と良熱伝導性セラミックス間に挿入された金属箔からなる金属僑及び前記パワー半導体素子の上部電極に接続された金属細線に依って連結されていることを特徴とする混成集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 H
, H01L 23/14 C
