特許

J-GLOBAL ID：200903035646533507

レチクル、半導体基板及び半導体チップ

発明者： 滝沢 厚嗣
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338702
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177245
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 レチクル、半導体ウエハ及び半導体チップ上の斜めパターンの線幅の測定誤差を低減することが可能なレチクル、半導体ウエハ及び半導体チップを提供する。【解決手段】 レチクルに、転写すべきパターンが形成された転写領域、及び転写領域の周囲を取り囲むように周辺領域が画定されている。レチクルの面内に1本の仮想的な基準線を画定する基準マークが形成されている。転写領域内に、基準線に対して斜め方向に長い直線状部分を含む転写パターンが配置されている。周辺領域内であって、転写パターンの直線状部分に平行もしくは垂直なある仮想直線に沿って一組の方向特定用マークが配置されている。

請求項（抜粋）：

転写すべきパターンが形成された転写領域、及び該転写領域の周囲を取り囲むように配置された周辺領域が画定されたレチクルであって、レチクルの面内に1本の仮想的な基準線を画定する基準マークと、前記転写領域内に形成され、前記基準線に対して斜め方向に長い直線状部分を含む転写パターンと、前記周辺領域内であって、前記転写パターンの直線状部分に平行もしくは垂直なある仮想直線に沿って配置された一組の方向特定用マークとを有するレチクル。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G03F 1/08 N ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 502 G