特許
J-GLOBAL ID：200903035650343771
光電半導体構成素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-501258
公開番号（公開出願番号）：特表2001-520808
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 2001年10月30日
要約：
【要約】半導体基板(12)上に活性領域(1)が設けられており、活性領域は、少なくとも1つの第1の共振器鏡層(2)と、少なくとも1つの第2の共振器鏡層(3)との間に設けられている。第1の鏡層(2)及び第2の鏡層(3)は、第1の導電型の半導体材料を有しており、活性領域(1)と両鏡層(2,3)の一方との間に、第1の導電型の高ドーピング接合層(11)と、第2の導電型の第2の高ドーピング接合層(10)とが設けられており、前記第1の導電型の高ドーピング接合層(11)と、前記第2の導電型の第2の高ドーピング接合層(10)とは、前記第2の高ドーピングされた縮退接合層(10)が前記活性領域(1)と前記第1の高ドーピングされた縮退接合層(11)との間に位置しているように構成されている。
請求項（抜粋）：
電磁ビーム(22)の発生に適した少なくとも1つの半導体(24)を有する光電構成素子であって、該光電構成素子では、半導体基板(12)上に少なくとも1つの活性領域(1)が設けられており、該活性領域(1)内で、前記半導体(24)に電流を流した際に電磁ビーム(22)が発生され、前記活性領域(1)は、少なくとも1つの第1の鏡層(2)と、少なくとも1つの第2の鏡層(3)との間に設けられている光電構成素子において、第1の鏡層(2)及び第2の鏡層(3)は、第1の導電型の半導体材料を有しており、活性領域(1)と前記両鏡層(2,3)の一方との間に、第1の導電型の高ドーピング接合層(11)と、第2の導電型の第2の高ドーピング接合層(10)とが設けられており、前記第1の導電型の高ドーピング接合層(11)と、前記第2の導電型の第2の高ドーピング接合層(10)とは、前記第2の高ドーピングされた縮退接合層(10)が前記活性領域(1)と前記第1の高ドーピングされた縮退接合層(11)との間に位置しているように構成されていることを特徴とする光電構成素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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