特許
J-GLOBAL ID：200903035652880278

ナノ構造単層の形成方法および形成デバイスならびにかかる単層を含むデバイス

発明者：
デヴィッド・エル.・ヒールド

デヴィッド・エル.・ヒールド について

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カレン・チュウ・クルーデン

カレン・チュウ・クルーデン について

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ジャンフェン・デュアン

ジャンフェン・デュアン について

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チャオ・リウ

チャオ・リウ について

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ジェイ.・ウォーレス・パース

ジェイ.・ウォーレス・パース について


出願人/特許権者：
ナノシス・インク.

ナノシス・インク. について


代理人 (1件)： 川原田 一穂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-527682
公開番号（公開出願番号）：特表2008-502169
出願日： 2005年06月07日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
ナノ構造配列の形成またはパターニング法が提供される。この方法は、ナノ構造会合基を含んでなるコーティング上での配列形成、レジストを使用するパターニングおよび/または配列形成を促進するデバイスの使用を含む。またナノ構造配列を含むデバイス(例えばメモリーデバイス)のように、ナノ構造配列の形成のための関連デバイスも提供される。
請求項（抜粋）：
第1の層を提供する工程と; ナノ構造会合基を含んでなる組成物によって第1の層をコーティングして、コーティングされた第1の層を提供する工程と; コーティングされた第1の層上にナノ構造の集合を付着し、それによってナノ構造がナノ構造会合基と会合する工程と; ナノ構造会合基と会合していないナノ構造をいずれも除去し、それによってナノ構造の単層配列が、コーティングされた第1の層と会合したまま残る工程と を含んでなるナノ構造配列の形成方法。
IPC (10件)：
H01L 29/06 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (11件)：
H01L29/06 601N ,  H01L21/312 C ,  H01L21/316 G ,  H01L21/312 D ,  H01L21/306 B ,  H01L29/06 601D ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 627C
Fターム (81件)：
5F043AA02 ,  5F043BB03 ,  5F043GG02 ,  5F043GG10 ,  5F058AA10 ,  5F058AB06 ,  5F058AC03 ,  5F058AC07 ,  5F058AD05 ,  5F058AD08 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058BB06 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP03 ,  5F083EP22 ,  5F083EP56 ,  5F083ER22 ,  5F083JA03 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F101BA12 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BE07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6,586,785号明細書
  • 単一電子素子とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-154041   出願人：日本電気株式会社
  • メモリデバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-313309   出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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