特許
J-GLOBAL ID：200903035656305774
真空アーク蒸着装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-344465
公開番号（公開出願番号）：特開2007-126754
出願日： 2006年12月21日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】炭素系膜を生産性良好に形成することができる真空アーク蒸着装置を提供する。【解決手段】炭素系膜を形成するための、炭素を主成分とするカソード11を真空アーク放電により蒸発させて炭素系膜を基材W上に形成する真空アーク蒸着装置。該装置は、100アンペア程度以下の低アーク電流で真空アーク放電を維持するためにアーク電源13とカソード11との間のリアクタンス成分発生回路Rを有しており、アーク放電回路におけるリアクタンス成分発生のためのインダクタンスは1mH以上10mH以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
膜形成対象基材を配置する成膜室と、炭素を主成分とするカソード、該カソードに対するアノード及びアーク電源を含むアーク放電回路とを有し、該カソードを真空アーク放電により蒸発させて該基材上に炭素系膜を形成する真空アーク蒸着装置であり、 前記アーク放電回路におけるリアクタンス成分発生のためのインダクタンスが1mH以上10mH以下であることを特徴とする真空アーク蒸着装置。
IPC (3件)：
C23C 14/24
, C23C 14/06
, C23C 14/32
C23C14/24 F
, C23C14/06 F
, C23C14/32 B
4K029BA34
, 4K029BB02
, 4K029BB10
, 4K029BC02
, 4K029BD03
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029DB02
, 4K029DB17
, 4K029DD06
, 4K029JA02
