III族窒化物半導体およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128471
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330546
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】エピタキシャル成長したIII族窒化物半導体層上のオーミック電極の接触抵抗を低減する。【解決手段】オーミック電極として、窒素ラジカルを用いたMBEによりIII族窒化物半導体の表面に、TiN、ZrN等のIVa族金属の窒化物を形成する。

請求項（抜粋）：

III族窒化物層上のオーミック電極として、IVa族元素の窒化物を用いることを特徴とするIII族窒化物半導体。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/28 301 H , H01S 3/18

前のページに戻る