多結晶半導体膜製造方法とその装置および画像表示パネル

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-086641
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277007
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】レーザビームを非晶質半導体膜に走査しながら照射して結晶化することで多結晶半導体膜を形成する際の照射ビーム内強度の突起分布の発生を防止する。【解決手段】照射するレーザビーム13内の光強度分布を均一にするための光学系5乃至8にドッグイヤ16の発生原因となるレンズ境界から発生する回折光17,18を除去するドッグイヤ除去用フィルタ15を設置する。これにより、ドッグイヤ分布を除去することにより、レーザビーム13の光強度分布をぼかす必要が無くなり、エネルギ効率の高い分布が維持でき、スループットが向上する。【選択図】図3B

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜にレーザ光ビームを走査しながら照射して多結晶化する多結晶半導体膜製造方法であって、前記非晶質半導体膜に照射するレーザ光ビーム内の前記走査方向の光強度分布の裾におけるエネルギ損失を10%以下としたことを特徴とする多結晶半導体膜製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/20 , G02F1/1368 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (4件)：

H01L21/20 , G02F1/1368 , H01L21/268 J , H01L29/78 627G

Fターム (30件)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA30 , 2H092NA29 , 2H092PA07 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052JA01 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭64-76715号公報

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