特許
J-GLOBAL ID：200903035676520876
ICパッケージの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-033130
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233678
出願日： 1998年02月16日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 ビルドアップ多層基板とICチップとの接続不良を防止する。【解決手段】 コア材13上にICチップ11と同じ厚みの絶縁層15を形成し、この絶縁層15のキャビティ16内に、ICチップ11をパッド12側の面を上向きにして嵌め込み、ICチップ11をコア材13に接着する。ICチップ11のパッド12側の面と絶縁層15の上面とで形成される同一平面に感光性樹脂層18を形成し、この感光性樹脂層18をフォトエッチングしてビアホールを形成した後、その上からめっきにてビア導体20と内層配線パターン21を形成し、以後、感光性樹脂層18の形成、ビアホールの形成及びビア導体20と内層配線パターン21の形成を順次繰り返して、ICチップ11上にビルドアップ多層基板17を形成する。最上層のビア導体20の上端部分に半田ペーストを印刷し、これをリフローにより溶融させて半田バンプ22を形成する。
請求項（抜粋）：
ICチップのパッド面を上向きにして、そのパッド面上に感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層をフォトエッチングしてビアホールを形成した後、その上からめっきにて配線層を形成し、以後、前記感光性樹脂層の形成、ビアホールの形成及び配線層の形成を順次繰り返して、前記ICチップ上にビルドアップ多層基板を形成するICパッケージの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 N
, H05K 3/46 B
, H05K 3/46 Q
