特許
J-GLOBAL ID：200903035676571950
半導体デバイスのヒューズ切断装置及びその使用方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-093602
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267465
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 ヒューズ切断方式による冗長回路を有する半導体デバイスの電気的特性検査とレーザー光照射によるヒューズ切断とを1つの装置内で行う。【構成】 水平方向に移動可能な支持テーブル2上に半導体ウェハ1を固定し、この支持テーブル2の上方に設けた電気的特性測定装置の測定用プローブ5により所定の電気的特性の測定を行う。この測定結果に基づき、制御部4が、切断の必要なヒューズ位置を決定するとともに、その切断が必要なヒューズ位置が、支持テーブル2の上方に設けたレーザー光照射装置6の直下に来るように支持テーブル2の移動位置を制御し、その位置でレーザー光照射によるヒューズ切断を行う。
請求項（抜粋）：
ヒューズ切断方式による冗長回路を有する半導体デバイスのヒューズ切断装置において、少なくとも1個の半導体デバイスを支持するためのデバイス支持手段と、前記半導体デバイスの電気的特性を測定するための電気的特性測定手段と、この電気的特性測定手段の測定結果に基づいて選択されたヒューズを切断するためのレーザー光照射手段と、前記デバイス支持手段を、少なくとも前記レーザー光照射手段に対して相対的に移動させるためのデバイス移動手段と、前記電気的特性測定手段の測定結果に基づき、前記レーザー光照射手段によるレーザー光の照射位置を決定して、前記デバイス移動手段による前記デバイス支持手段の相対的な移動位置を制御する制御手段とを有することを特徴とする半導体デバイスのヒューズ切断装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/82 F
, H01L 21/82 T
